在半導(dǎo)體材料的制備過程中，每一道工序都涉及到清洗，而且清洗的好壞直接影響下一道工序，甚至影響器件的成品率和可靠性。由于ULSI集成度的迅速提高和器件尺寸的減小，對于晶片表面沾污的要求更加嚴(yán)格，ULSI工藝要求在提供的襯底片上吸附物不多于500個(gè)/m2×0.12um，金屬污染小于 1010atom/cm2。晶片生產(chǎn)中每一道工序存在的潛在污染，都可導(dǎo)致缺陷的產(chǎn)生和器件的失效。因此，硅片的清洗引起了專業(yè)人士的重視。以前很多廠家都用手洗的方法，這種方法人為的因素較多，一方面容易產(chǎn)生碎片，經(jīng)濟(jì)效益下降，另一方面手洗的硅片表面潔凈度差，污染嚴(yán)重，使下道工序化拋腐蝕過程中的合格率較低。所以，硅片的清洗技術(shù)引起了人們的重視，找到一種簡單有效的清洗方法是當(dāng)務(wù)之急。本文介紹了一種超聲波清洗技術(shù)，其清洗硅片的效果顯著，是一種值得推廣的硅片清洗技術(shù)。硅片表面污染的原因
　　晶片表面層原子因垂直切片方向的化學(xué)鍵被破壞而成為懸空鍵，形成表面附近的自由力場，尤其磨片是在鑄鐵磨盤上進(jìn)行，所以鐵離子的污染就更加嚴(yán)重。同時(shí)，由于磨料中的金剛砂粒徑較大，造成磨片后的硅片破損層較大，懸掛鍵數(shù)目增多，極易吸附各種雜質(zhì)，如顆粒、有機(jī)雜質(zhì)、無機(jī)雜質(zhì)、金屬離子、硅粉粉塵等，造成磨片后的硅片易發(fā)生變花、發(fā)藍(lán)、發(fā)黑等現(xiàn)象，使磨片不合格。硅片清洗的目的就是要除去各類污染物，清洗的潔凈程度直接決定著ULSI向更高集成度、可靠性、成品率發(fā)展，這涉及到高凈化的環(huán)境、水、化學(xué)試劑和相應(yīng)的設(shè)備及配套工藝，難度越來越大，可見半導(dǎo)體行業(yè)中清洗工藝的重要性。
　　（1）超聲波清洗的基本原理
　　利用28KHz以上的電能，經(jīng)超聲波換能器轉(zhuǎn)換成高頻機(jī)械振蕩而傳入到清洗液中。超聲波在清洗液中疏密相間地向前輻射，使液體流動，并不停地產(chǎn)生數(shù)以萬計(jì)的微小氣泡。這些氣泡是在超聲波縱向傳播的負(fù)壓區(qū)形成及生長，而在正壓區(qū)迅速閉合。這種微小氣泡的形成、生成迅速閉合稱為空化現(xiàn)象，在空化現(xiàn)象中氣泡閉合時(shí)形成超過1000個(gè)大氣壓的瞬時(shí)高壓，連續(xù)不斷產(chǎn)生的瞬時(shí)高壓，像一連串小爆炸不停地轟擊物體表面，使物體及縫隙中的污垢迅速剝落。這種空化侵蝕作用就是超聲波清洗的基本原理。
　?。?）清洗工藝流程
　　自動上料→去離子水＋超聲波清洗＋振動篩拋動→堿液＋超聲波清洗＋拋動→去離子水＋超聲波清洗＋拋動→堿液＋超聲波清洗＋拋動→堿液＋超聲波清洗＋拋動→去離子水＋超聲波清洗＋拋動＋溢流→去離子水＋超聲波清洗＋拋動＋溢流→自動下料
　　（3）清洗液的最佳配比的確定
　　取4″及500祄厚的硅片做十組實(shí)驗(yàn)，固定5分鐘清洗時(shí)間及超聲清洗的溫度，見下面列表。
　　從表中觀察不同條件下硅片表面，用熒光燈照射表面可清楚看出硅表面的潔凈程度。因此得出清洗液的最佳配比為活性劑:清洗劑: 去離子水=0.10:1.00:7.0
　　通過實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)當(dāng)清洗劑的濃度越低，越有利于水的清洗，但清洗劑的濃度不能低于15%，否則清洗效果反而降低。